模拟电路期中模拟试题2
一、判断下列说法是否正确，用“√”和“×”表示判断结果填入空内。
（1）在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。（ ） （2）因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。（ ） （3）PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。（ ）
（4）处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。 （ ）
（5）结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其R GS 大的特点。（ ） （6）若耗尽型N 沟道MOS 管的U GS 大于零，则其输入电阻会明显变小。（ ） 解：（1）√ （2）× （3）√ （4）× （5）√ （6）×
解
三、I 解：根据图P1.22所示T 的输出特性可知，其开启电压为5V ，根据图P1.23所示电路可知所以u GS ＝u I 。 当u I ＝4V 时，u GS 小于开启电压，故T 截止。
当u I ＝8V 时，设T 工作在恒流区，根据
输出特性可知i D ≈0.6mA ，管压降
u DS ≈V DD －i D R d ≈10V
因此，u GD ＝u GS －u DS ≈－2V ，小于开启电压， 说明假设成立，即T 工作在恒流区。
当u I ＝12V 时，由于V DD ＝12V ，必然使T 工作在可变电阻区。
图P1.23
四、 电路如图P 2. 4（a ）所示，图（b ）是晶体
管的输出特性，静态时U B E Q ＝0. 7V 。利用图解法分别求出R L ＝∞和R L ＝3k Ω时的静
态工作点和最大不失真输出电压U o m （有效值）。
图P 2. 4
解：空载时：I B Q ＝20μA ，I C Q ＝2m A ，U C E Q ＝6V ；最大不失真输出电压峰值约为5. 3V ，有效值约为3. 75V 。
带载时：I B Q ＝20μA ，I C Q ＝2m A ，U C E Q ＝3V ；最大不失真输出电压峰值约为2. 3V ，有效值约为1. 63V 。 如解图P 2. 4所示。
解图P 2. 4
五、 图P 3. 6所示电路参数理想对称，β
1
＝β
2
＝β，r b e 1＝r b e 2＝r b e 。
（1）写出R W 的滑动端在中点时A d 的表达式；
（2）写出R W 的滑动端在最右端时A d 的表达式，比较两个结果有什么不同。
图P 3. 6
解：（1）R W 的滑动端在中点时A d 的表达式为
be
W
c I
O
d ) ( r R R u u A +
-=∆∆=
β
（2）R W 的滑动端在最右端时
I
be W
c C2C1O I
be
c
C2I be
W c C1) ( 2 2)
( u
r R R u u u u r R u u r R R u ∆⋅+
-
=∆-∆=∆∆⋅+
=∆∆⋅+-
=∆βββ
所以A d 的表达式为
be
W
c I
O
d ) ( r R R u u A +
-=∆∆=
β
比较结果可知，两种情况下的A d 完全相等；但第二种情况下的C2
1C u u ∆∆＞。
六、电路如图P 4. 8所示，具有理想的对称性。设各管β均相同。
（1）说明电路中各晶体管的作用； （2）若输入差模电压为（u I 1－u I 2），则由此产生的差模电流为△i D ，求解电路电流放大倍数A i 的近似表达式。
解：（1）图示电路为双端输入、单端输出的差分放大电路。T 1和T 2、T 3和T 4分别组成的复合管为放大管，T 5和T 6组成的镜像电流源为有源负载。
（2）由于用T 5和T 6所构成的镜像电流源作为有源
负载，将左半部分放大管的电流变化量转换到右边，故
输出电流变化量及电路电流放大倍数 图P 4. 8
分别为
ββββ) 1(2 ) 1(2I O I
O +≈∆∆=
∆+≈∆i i A i i i
七、已知某电路电压放大倍数
) 10j 1)(10j 1(j 105f f f A u
++-=
试求解： （1）
m u A ＝？f L ＝？f H ＝? （2）画出波特图。
解：（1）变换电压放大倍数的表达式，求出m u A 、f L 、f H 。
Hz 10Hz
10100
) 10j 1)(10j 1(10j 1005H L m 5==-=++⋅-=f f A f f f A u u
（2）波特图如解图P 5. 6所示。
解图P 5. 6
模拟电路期中模拟试题2
一、判断下列说法是否正确，用“√”和“×”表示判断结果填入空内。
（1）在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。（ ） （2）因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。（ ） （3）PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。（ ）
（4）处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。 （ ）
（5）结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其R GS 大的特点。（ ） （6）若耗尽型N 沟道MOS 管的U GS 大于零，则其输入电阻会明显变小。（ ） 解：（1）√ （2）× （3）√ （4）× （5）√ （6）×
解
三、I 解：根据图P1.22所示T 的输出特性可知，其开启电压为5V ，根据图P1.23所示电路可知所以u GS ＝u I 。 当u I ＝4V 时，u GS 小于开启电压，故T 截止。
当u I ＝8V 时，设T 工作在恒流区，根据
输出特性可知i D ≈0.6mA ，管压降
u DS ≈V DD －i D R d ≈10V
因此，u GD ＝u GS －u DS ≈－2V ，小于开启电压， 说明假设成立，即T 工作在恒流区。
当u I ＝12V 时，由于V DD ＝12V ，必然使T 工作在可变电阻区。
图P1.23
四、 电路如图P 2. 4（a ）所示，图（b ）是晶体
管的输出特性，静态时U B E Q ＝0. 7V 。利用图解法分别求出R L ＝∞和R L ＝3k Ω时的静
态工作点和最大不失真输出电压U o m （有效值）。
图P 2. 4
解：空载时：I B Q ＝20μA ，I C Q ＝2m A ，U C E Q ＝6V ；最大不失真输出电压峰值约为5. 3V ，有效值约为3. 75V 。
带载时：I B Q ＝20μA ，I C Q ＝2m A ，U C E Q ＝3V ；最大不失真输出电压峰值约为2. 3V ，有效值约为1. 63V 。 如解图P 2. 4所示。
解图P 2. 4
五、 图P 3. 6所示电路参数理想对称，β
1
＝β
2
＝β，r b e 1＝r b e 2＝r b e 。
（1）写出R W 的滑动端在中点时A d 的表达式；
（2）写出R W 的滑动端在最右端时A d 的表达式，比较两个结果有什么不同。
图P 3. 6
解：（1）R W 的滑动端在中点时A d 的表达式为
be
W
c I
O
d ) ( r R R u u A +
-=∆∆=
β
（2）R W 的滑动端在最右端时
I
be W
c C2C1O I
be
c
C2I be
W c C1) ( 2 2)
( u
r R R u u u u r R u u r R R u ∆⋅+
-
=∆-∆=∆∆⋅+
=∆∆⋅+-
=∆βββ
所以A d 的表达式为
be
W
c I
O
d ) ( r R R u u A +
-=∆∆=
β
比较结果可知，两种情况下的A d 完全相等；但第二种情况下的C2
1C u u ∆∆＞。
六、电路如图P 4. 8所示，具有理想的对称性。设各管β均相同。
（1）说明电路中各晶体管的作用； （2）若输入差模电压为（u I 1－u I 2），则由此产生的差模电流为△i D ，求解电路电流放大倍数A i 的近似表达式。
解：（1）图示电路为双端输入、单端输出的差分放大电路。T 1和T 2、T 3和T 4分别组成的复合管为放大管，T 5和T 6组成的镜像电流源为有源负载。
（2）由于用T 5和T 6所构成的镜像电流源作为有源
负载，将左半部分放大管的电流变化量转换到右边，故
输出电流变化量及电路电流放大倍数 图P 4. 8
分别为
ββββ) 1(2 ) 1(2I O I
O +≈∆∆=
∆+≈∆i i A i i i
七、已知某电路电压放大倍数
) 10j 1)(10j 1(j 105f f f A u
++-=
试求解： （1）
m u A ＝？f L ＝？f H ＝? （2）画出波特图。
解：（1）变换电压放大倍数的表达式，求出m u A 、f L 、f H 。
Hz 10Hz
10100
) 10j 1)(10j 1(10j 1005H L m 5==-=++⋅-=f f A f f f A u u
（2）波特图如解图P 5. 6所示。
解图P 5. 6